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产品与效劳

Products and Services

  • 无源/有源 MPW 流片效劳

  • 海内首个完整硅光流片能力平台

  • 定制化流片效劳

  • 流片计划

无源/有源 MPW 流片效劳

微电子所硅光平台每年可对外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 衬底 130nm工艺节点的MPW流片效劳,工艺� ？榘�220 nm/150 nm/70 nm 等深度的无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN 加热器工艺、 锗探测器外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属互连工艺等。

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海内首个完整硅光流片能力平台

面向后摩尔时代微电子与光电子的生长需求,中国科学院微电子所基于 8 英寸 CMOS 工艺线开发海内首个具有完整硅光工艺流片能力的 8 英寸硅光 平台。

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定制化流片效劳

针对硅光技术研发中质料和工艺的多样性,平台开发了基于厚硅 SOI、 石英衬底、SiN 质料的多种工艺� ？�,可为客户提供灵活的定制化技术服 务。

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流片计划

2023 年第 4 季度及 2024 年有关 220nm 顶硅 SOI 有源/无源 MPW、200nm 氮化 硅 MPW 流片计划如下图所示;石英及厚硅 SOI 等工艺接纳定制化流片方法,工 艺计划通过技术评审后即可签订相助。

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