微电子所硅光平台每年可对外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 衬底 130nm工艺节点的MPW流片效劳,工艺�？榘�220 nm/150 nm/70 nm 等深度的无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN 加热器工艺、 锗探测器外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属互连工艺等 。
微电子所硅光平台每年可对外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 衬底130nm工艺节点的MPW流片效劳,工艺�？榘�220 nm/150 nm/70 nm等深度的无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN 加热器工艺、 锗探测器外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属互连工艺等 。
接纳标准工艺,将多个客户的 BLOCK(8/16/32 个)在一个晶圆上进行流片, 降低本钱
