微电子所硅光平台每年可对外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 衬底 130nm工艺节点的MPW流片效劳,工艺�？榘�220 nm/150 nm/70 nm 等深度的无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN 加热器工艺、 锗探测器外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属互连工艺等。
2023 年第 4 季度及 2024 年有关 220nm 顶硅 SOI 有源/无源 MPW、200nm 氮化 硅 MPW 流片计划如下图所示;石英及厚硅 SOI 等工艺接纳定制化流片方法,工 艺计划通过技术评审后即可签订相助。
