2024-01-04
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2024年1月有源MPW收集中 ；无源MPW收集中，双节同庆优惠多！请详询: 流片注册: services@hopho.com.cn ——预定赶快—— Part 1 平台介绍 ▲中科院微电子所硅光平台以8英寸CMOS工艺线为支撑，开发成套的硅光工艺�？�，建立了硅光设计仿真平台、光电测试平台。 ▲2016年12月，平台果真宣布首版PDK ；2020年12月，宣布硅光平台PDK2.0 ；2022年2月更新至PDK2.1。 Part 2 技术效劳 ▲平台主要工艺�？榘�220nm/150nm/70nm无源器件刻蚀工艺、高速调制器和锗探测器的掺杂工艺、介质质料生长工艺、TiN加热器电极工艺、锗质料外延工艺、钨填充孔工艺、硅和锗的欧姆接触及金属层工艺等。 ▲平台配置了8-12英寸硅光晶圆自动测试系统，该解决计划基于成熟可靠的12寸探针台和纳米级精密自瞄准定位组件，搭建起高效且兼容性高的光电混淆测试系统。 ▲平台还配置了纳米级端面耦合测试系统，针对差别的耦合方法为为客户提供差别的测试解决计划。 ▲平台建立了全程可追溯的测试数据库，连续向客户推出种种灵活、可靠、可升级的产品和效劳。 ▲ IMECAS硅光平台部分工艺及器件 基于220nm顶硅、3μm BOX层、高阻SOI衬底进行硅光薄硅PDK器件 库开发，具体器件指标如下： 基于普通体硅衬底进行LPCVD和PECVD氮化硅PDK器件库开发，研发出了笼罩100-800nm厚度的超低损耗PESIN工艺，部分器件指标如下： ▲ 200m氮化硅器件库 ▲ 400nm氮化硅器件库 ▲ IMECAS硅光平台全自动耦合晶圆级测试平台+芯片级测试平台 ▲平台每年可对外提供6-8次MPW流片效劳，目前已为行业提供 24 批次MPW流片效劳，同时为了满足客户的特殊工艺要求，可提供工艺定制效劳。 Part 3 参考价格 ▲ 硅光MPW国界提交请发送GDSII文件至services@hopho.com.cn
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